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吸收和谐振 吸收电容器与半导体部件并联连接是为了降低其高频开关操作产生的高压峰值。 谐振电容器必须承受持续性高频交流电压，通常是正弦波，并且需要有一定的承受过压的能力。 对于吸收电容和谐振电容，自温升和耐脉冲能力都是关键的参数。 吸收脉冲可选用 mpc25、pps 谐振电容可选用mpc24、mpc03
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典型运用场合：继电器、可控硅吸收回路

膜材质：mpp膜

引线材质：cp/镀锡铜线/焊片

 

容值范围 400v:10~68nf
630v:33~390nf
1250v:6.8~56nf
2000v:1.0~6.8nf		 400v:150~2200nf
630v:100~1200nf
1250v:22~220nf
2000v:1.5~33nf		 400v:1000~5600nf
630v:680~3300nf
1250v:100~680nf
2000v:22~100nf		 630v:1000~10000nf
1250v:150~1800nf
2000v:68~560nf
外观尺寸
l*w*h		 18*(9~18)*(5~10) 26.5*(15~23)*(6~14) 32*(20~30)*(11~22) 42*(22~48)*(12~32)
脚距 p15 p22.5 p27.5 p37.5
电压 400v/630v/1250v/2000v 400v/630v/1250v/2000v 400v/630v/1250v/2000v 630v/1250v/2000v
精度 j j j j
基膜厚度 6~12um 6~12um 6~12um 6~12um
留边距离 2~3mm 2~3mm 2~3mm 2~3mm
方阻 2~10ω/□ 2~10ω/□ 2~10ω/□ 2~10ω/□
最新标准 gb/t14579 (iec60384-17)

 

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