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llc谐振电路

吸收电容器与半导体部件并联连接是为了降低其高频开关操作产生的高压峰值。谐振电容器必须承受持续性高频交流电压，通常是正弦波，并且需要有一定的承受过压的能力。对于吸收电容和谐振电容，自温升和耐脉冲能力都是关键的参数。

产品特性产品规格产品认证

容值范围	630v:6.8~47nf 1250v:4.7~27nf 2000v:1.0~4.7nf	630v:15~100nf 1250v:6.8~56nf 2000v:2.2~27nf	630v:47~470nf 1250v:33~220nf 2000v:10~100nf
外观尺寸	13(7~12)(4~8)	18(9~18)(5~10)	26.5(15~23)(6~14)
脚距	p10	p15	p22.5
电压	630v/1250v/2000v	630v/1250v/2000v	630v/1250v/2000v
精度	j	j	j
基膜厚度	6~12um	6~12um	6~12um
留边距离	2~3mm	2~3mm	2~3mm
方阻	2~10ω/□	2~10ω/□	2~10ω/□
最新标准	gb/t3984.1-2004、gb/t3984.2-2004